Random-Access Memory


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Resistive RAM (RRAM, englisch) ist ein nichtflüchtiger Speichertyp bestehend aus einer „aktiven“ Lage aus Dünnfilm-Metall-Oxid (z. B. SiOx), dessen elektrischer Widerstand mittels elektrischer Impulse stark verändert werden kann. Die Veränderung ist statisch und reversibel, daraus resultiert die Möglichkeit der Verwendung des Materials als nichtflüchtiger Speicher. Die Wiederbeschreibbarkeit wird als „sehr gut“ und der Energieverbrauch (der demnach nur beim Schreiben und Lesen auftritt) als „sehr niedrig“ bezeichnet. Gegenüber heutigen Flash-Speichern könnte die Speicherdichte auf mehr als das 50-fache erhöht werden, entsprechend 1 TB auf der Fläche einer Briefmarke. <ref>Pressemeldung: http://www.energie-und-technik.de/green-electronics/produkte/energieeffiziente-bauelemente/article/100018/?cid=NL</ref><ref>Rice's silicon oxide memories catch manufacturers' eye. Abgerufen am 10. Juli 2014.</ref>

ReRAM ist eine (Stand 2013) neuere Entwicklung, die sich z. B. im Jahre 2010 noch im Prototypenstadium in der Entwicklung einiger Unternehmen der Halbleiterindustrie befand. Auf damaligem Stand gilt oder galt: 1. RRAM hat einige Ähnlichkeiten bzw. Gemeinsamkeiten mit dem PCRAM (welche?) 2. Verschiedene Formen des RRAM basieren auf meist dielektrischen Materialien, die von Perovskiten über Übergangsmetalloxiden bis zu Chalkogeniden reichen. Schon 1967 wurde Widerstandsschalten selbst an Siliciumdioxid (SiO2) gezeigt.<ref> D. R. Lamb, P. C. Rundle: A non-filamentary switching action in thermally grown silicon dioxide films. In: British Journal of Applied Physics. 18, 1967, S. 29–32, doi:10.1088/0508-3443/18/1/306.</ref>

Literatur

  •  R. W. Mann, W. W. Abadeer, M. J. Breitwisch, O. Bula, J. S. Brown, B. C. Colwill, P. E. Cottrell, W. G. Crocco, S. S. Furkay, M. J. Hauser: Ultralow-power SRAM technology. In: IBM Journal of Research and Development. 47, Nr. 5, 2003, S. 553–566, doi:10.1147/rd.475.0553.

Weblinks

Commons Commons: RAM – Sammlung von Bildern, Videos und AudiodateienVorlage:Commonscat/Wartung/P 2 fehlt, P 1 ungleich Lemma

Einzelnachweise und Fußnoten

<references/>